[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201810147001.7 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108336097B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张强;冯翔;邱云;孙晓;刘莎;杨照坤 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法，以高效利用基底上生长的高密度微发光二极管，实现将高密度的微发光二极管转移到具有低密度的薄膜晶体管的阵列基板上。所述制备方法包括：将形成有微发光二极管的基底转移至柔性衬底之上；去除相邻所述微发光二极管之间的所述基底；拉伸所述柔性衬底，以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配；将拉伸后的所述柔性衬底转移到所述阵列基板之上，并使所述微发光二极管与所述薄膜晶管一一对应，其中，所述柔性衬底的形成有所述微发光二极管的一面面向所述阵列基板的所述薄膜晶体管；去除所述柔性衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 转移 方法 显示装置 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：将形成有微发光二极管的基底转移至柔性衬底之上，其中，所述微发光二极管在所述基底上呈阵列分布；去除相邻所述微发光二极管之间的所述基底；拉伸所述柔性衬底，以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配；将拉伸后的所述柔性衬底转移到所述阵列基板之上，并使所述微发光二极管与所述薄膜晶管一一对应，其中，所述柔性衬底的形成有所述微发光二极管的一面面向所述阵列基板的所述薄膜晶体管；去除所述柔性衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
