[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201810147001.7 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108336097B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张强;冯翔;邱云;孙晓;刘莎;杨照坤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 转移 方法 显示装置 及其 制备 | ||
本申请提供一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法,以高效利用基底上生长的高密度微发光二极管,实现将高密度的微发光二极管转移到具有低密度的薄膜晶体管的阵列基板上。所述制备方法包括:将形成有微发光二极管的基底转移至柔性衬底之上;去除相邻所述微发光二极管之间的所述基底;拉伸所述柔性衬底,以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配;将拉伸后的所述柔性衬底转移到所述阵列基板之上,并使所述微发光二极管与所述薄膜晶管一一对应,其中,所述柔性衬底的形成有所述微发光二极管的一面面向所述阵列基板的所述薄膜晶体管;去除所述柔性衬底。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)是一种尺寸在几微米到几百微米之间的器件,由于其较普通LED的尺寸要小很多,从而使得单一的LED作为像素(Pixel)用于显示成为可能,Micro LED显示器便是一种以高密度的Micro LED阵列作为显示像素阵列来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,Micro LED显示器和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但Micro LED显示器相比于OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
由于晶格匹配的原因,Micro LED必须先在供给基板上通过分子束外延的方法生长出来,但由于生长在原始基板上的Micro LED密度较大,与驱动其发光的阵列基板配合进行发光时,会存在部分Micro LED浪费,转移效率偏低的问题。
发明内容
本申请提供一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法,以高效利用基底上生长的高密度微发光二极管,实现将高密度的微发光二极管转移到具有低密度的薄膜晶体管的阵列基板上。
本申请实施例提供一种微发光二极管的转移方法,包括:
将形成有微发光二极管的基底转移至柔性衬底之上,其中,所述微发光二极管在所述基底上呈阵列分布;
去除相邻所述微发光二极管之间的所述基底;
拉伸所述柔性衬底,以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配;
将拉伸后的所述柔性衬底转移到所述阵列基板之上,并使所述微发光二极管与所述薄膜晶管一一对应,其中,所述柔性衬底的形成有所述微发光二极管的一面面向所述阵列基板的所述薄膜晶体管;
去除所述柔性衬底。
可选的,所述拉伸所述柔性衬底以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配,具体包括:
拉伸所述柔性衬底以使相邻所述微发光二极管之间间隙的距离为预设距离,其中,所述预设距离与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的相邻薄膜晶管之间间隙的间距相同。
可选的,所述将形成有微发光二极管的基底转移至柔性衬底之上,具体包括:将形成有所述微发光二极管的基底转移至聚二甲基硅氧烷柔性衬底或聚酰亚胺柔性衬底之上。
可选的,所述将形成有微发光二极管的基底转移至聚二甲基硅氧烷柔性衬底之上,具体包括:
将预设质量的聚二甲基硅氧烷放置在容置槽中,并加入质量与所述聚二甲基硅氧烷的质量分别相对应匹配的二氧化硅、六甲基二硅氮烷、多乙烯硅油、二叔丁基过氧化己烷;
将形成有所述微发光二极管的基底水平压入至所述容置槽中;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造