[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：

将预设质量的聚二甲基硅氧烷放置在容置槽中，并加入质量与所述聚二甲基硅氧烷的质量分别相对应匹配的二氧化硅、六甲基二硅氮烷、多乙烯硅油、二叔丁基过氧化己烷；

将形成有微发光二极管的基底水平压入至所述容置槽中，其中，所述微发光二极管在所述基底上呈阵列分布；

将所述容置槽放置在烘箱中进行硫化；

将硫化后的所述聚二甲基硅氧烷与所述容置槽分离，进而将形成有微发光二极管的基底转移至聚二甲基硅氧烷柔性衬底之上；

去除相邻所述微发光二极管之间的所述基底；

拉伸所述柔性衬底，以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配；

将拉伸后的所述柔性衬底转移到所述阵列基板之上，并使所述微发光二极管与所述薄膜晶管一一对应，其中，所述柔性衬底的形成有所述微发光二极管的一面面向所述阵列基板的所述薄膜晶体管；

去除所述柔性衬底。

2.如权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述拉伸所述柔性衬底，以使所述微发光二极管的密度与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的薄膜晶管的密度相匹配，具体包括：

拉伸所述柔性衬底，以使相邻所述微发光二极管之间间隙的距离为预设距离，其中，所述预设距离与用于驱动所述微发光二极管发光的阵列基板的相邻薄膜晶管之间间隙的间距相同。

3.如权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷的质量与所述二氧化硅的质量、所述六甲基二硅氮烷的质量、所述多乙烯硅油的质量、所述二叔丁基过氧化己烷的质量配比为1:0.4:0.1:0.026:0.007。

4.如权利要求3所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，将所述容置槽放置在烘箱中进行硫化，具体包括：将所述容置槽放置在烘箱中，并设置温度为80℃，时长为24小时。

5.如权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，形成有微发光二极管的基底的制备方法，具体包括：

通过外延生长方式在蓝宝石基底上形成所述微发光二极管。

6.如权利要求5所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，在去除所述柔性衬底之后，所述制备方法还包括：去除所述蓝宝石基底。

7.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的微发光二极管的转移方法。

8.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求7所述的制备方法制备。