[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810145531.8 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN110164964A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨广立;郑大燮;施雪捷;李茂;陈德艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区以及与第一区邻接的第二区；在部分基底内形成自第一区延伸至第二区的第一掺杂区，且第一掺杂区顶部到基底表面具有第一距离，第一掺杂区内具有第一掺杂离子；在第二区基底表面形成栅极结构，且部分栅极结构延伸至第一区内；以栅极结构为掩膜，在第一区基底内注入第二掺杂离子形成初始第二掺杂区，初始第二掺杂区底部到基底表面具有第二距离，第二距离大于第一距离，第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子相同；进行退火处理，使初始第二掺杂区内的第二掺杂离子扩散以形成第二掺杂区，第二掺杂区底部与第一掺杂区顶部相接。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 掺杂离子 第一区 基底 基底表面 栅极结构 半导体结构 掺杂 半导体器件 导电类型 退火处理 邻接 延伸 掩膜 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区以及与第一区邻接的第二区；在部分所述基底内形成自第一区延伸至第二区的第一掺杂区，且第一掺杂区顶部到基底表面具有第一距离，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子；在所述第二区基底表面形成栅极结构，且部分栅极结构延伸至第一区内；以所述栅极结构为掩膜，在所述第一区基底内注入第二掺杂离子形成初始第二掺杂区，所述初始第二掺杂区底部到基底表面具有第二距离，所述第二距离大于第一距离，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子相同；进行退火处理，使初始第二掺杂区内的第二掺杂离子扩散以形成第二掺杂区，所述第二掺杂区底部与第一掺杂区顶部相接。
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