[发明专利]单晶制造装置在审
| 申请号： | 201810132067.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108531990A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 干川圭吾;藤原靖幸;小浜惠一;中西真二;小林拓实;大叶悦子 | 申请（专利权）人： | 不二越机械工业株式会社;国立大学法人信州大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;于洁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶制造装置 发热体 炉主体 加热 耐热性 高频感应加热 金属氧化物 氧化锆涂层 高频线圈 氧化气氛 长寿命 单晶 盖体 筒状 坩埚 合金 封闭 制造 | ||
【主权项】：
1.一种单晶制造装置，其是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置，其具备：基体；配设在该基体上的具有耐热性的筒状的炉主体；将该炉主体封闭的盖体；配设于所述炉主体内的发热体；利用高频感应加热对该发热体进行加热的高频线圈；以及由所述发热体进行加热的坩埚，所述单晶制造装置的特征在于，所述发热体由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。
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