[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201810129145.X | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108806748A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林崇荣;金雅琴 | 申请（专利权）人： | 卡比科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市东区明*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极元件、第二浮接栅极元件以及选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含栅极，并配置以根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用栅极，并配置以根据写入电位以及控制电位判定栅极的电性状态。选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。借此，可将非易失性存储器装置的读取与写入分别由不同的元件执行，将可减少对于氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极元件 浮接 电位 非易失性存储器装置 控制电位 读取 电性状态 选择栅极 配置 写入 读取电流 共用栅极 提升元件 元件电性 源极驱动 字符驱动 可靠度 氧化层 耦接 判定 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：一第一浮接栅极元件，包含一栅极，并配置以根据一读取电位、一控制电位以及该栅极的一电性状态产生一读取电流；一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该栅极，并配置以根据一写入电位以及该控制电位决定该栅极的该电性状态；以及一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位。
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