[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：

一第一浮接栅极元件，包含一栅极，并配置以根据一读取电位、一控制电位以及该栅极的一电性状态产生一读取电流；

一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该栅极，并配置以根据一写入电位以及该控制电位决定该栅极的该电性状态；以及

一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一浮接栅极元件包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，并配置以于该第一源/漏极接收该读取电位以及于该第二源/漏极接收该控制电位，且根据该读取电位、该控制电位以及该电性状态产生该读取电流至该第一源/漏极；以及

该第二浮接栅极元件包含一第三源/漏极以及一第四源/漏极，配置以于该第三源/漏极接收该写入电位以及于该第四源/漏极接收该控制电位。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极以及该第四源/漏极的一第五源/漏极、一第六源/漏极以及一选择栅极，该选择栅极元件配置以于该选择栅极接收该字符驱动电位以及该第六源/漏极接收该源极驱动电位时产生该控制电位。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器装置，其特征在于，该第一源/漏极电性耦接于一位元线，该第三源/漏极电性耦接于一写入线，该选择栅极电性耦接于一字符线，且该第六源/漏极电性耦接于一源极线。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其特征在于，还包含：

一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该电性状态。

6.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包含：

一第一浮接栅极元件，包含一第一栅极，并配置以根据一第一读取电位、一第一控制电位以及该第一栅极的一第一电性状态产生一第一读取电流；

一第二浮接栅极元件，与该第一浮接栅极元件共用该第一栅极，并配置以根据一第一写入电位以及该第一控制电位决定该第一栅极的该第一电性状态；

一第一选择栅极元件，电性耦接于该第一浮接栅极元件以及该第二浮接栅极元件，并配置以根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生该控制电位；

一第三浮接栅极元件，包含一第二栅极，并配置以根据一第二读取电位、一第二控制电位以及该第二栅极的一第二电性状态产生一第二读取电流；

一第四浮接栅极元件，与该第三浮接栅极元件共用该第二栅极，并配置以根据一第二写入电位以及该第二控制电位决定该第二栅极的该第二电性状态；以及

一第二选择栅极元件，电性耦接于该第三浮接栅极元件以及该第四浮接栅极元件，并配置以根据该字符驱动电位以及该源极驱动电位产生该控制电位。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器装置，其特征在于，还包含：

一第一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该第一栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该第一电性状态；以及

一第二抹除栅极元件，电性耦接至该第三浮接栅极元件与该第四浮接栅极元件的该第二栅极，配置以依据该抹除电位线的该抹除电位而抹除该第三浮接栅极元件与该第四浮接栅极元件中的该第二电性状态。

8.一种非易失性存储器装置操作方法，其特征在于，包含：

使一选择栅极元件根据一字符驱动电位以及一源极驱动电位产生一控制电位；

使包含一栅极的一第一浮接栅极元件根据一读取电位、一控制电位以及该栅极的一电性状态产生一读取电流；

使该选择栅极元件根据该字符驱动电位以及该源极驱动电位产生该控制电位；

使与该第一浮接栅极元件共用该栅极的一第二浮接栅极元件根据一写入电位以及该控制电位决定该栅极的该电性状态。