[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法

说明书

一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极元件、第二浮接栅极元件以及选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含栅极，并配置以根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用栅极，并配置以根据写入电位以及控制电位判定栅极的电性状态。选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。借此，可将非易失性存储器装置的读取与写入分别由不同的元件执行，将可减少对于氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。

技术领域

本发明涉及存储器技术，且特别涉及一种非易失性存储器装置及其操作方法。

背景技术

近年来由于集成芯片系统的单芯片化，存储器必须与系统整合成单一芯片。栅极氧化层厚度将随着工艺的微缩而缩小。常见的非易失性存储器装置的读取和写入是采用单一晶体管执行。由于读取和写入均需要对同一元件施加电压，容易对于较薄的栅极氧化层造成损害，因而降低元件的可靠度。

因此，如何设计一个新的非易失性存储器装置及其操作方法，以解决上述的缺失，乃为此一业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极(floatinggate，浮动栅极)元件、第二浮接栅极元件以及选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含栅极，并配置以根据读取电位、控制电位以及栅极的电性状态产生读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用栅极，并配置以根据写入电位以及控制电位决定栅极的电性状态。选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。

在一实施例中，该第一浮接栅极元件包含一第一源/漏极以及一第二源/漏极，并配置以于该第一源/漏极接收该读取电位以及于该第二源/漏极接收该控制电位，且根据该读取电位、该控制电位以及该电性状态产生该读取电流至该第一源/漏极；以及该第二浮接栅极元件包含一第三源/漏极以及一第四源/漏极，配置以于该第三源/漏极接收该写入电位以及于该第四源/漏极接收该控制电位。

在一实施例中，该选择栅极元件包含电性耦接于该第二源/漏极以及该第四源/漏极的一第五源/漏极、一第六源/漏极以及一选择栅极，该选择栅极元件配置以于该选择栅极接收该字符驱动电位以及该第六源/漏极接收该源极驱动电位时产生该控制电位。

在一实施例中，该第一源/漏极电性耦接于一位元线，该第三源/漏极电性耦接于一写入线，该选择栅极电性耦接于一字符线，且该第六源/漏极电性耦接于一源极线。

在一实施例中，非易失性存储器装置还包含：一抹除栅极元件，电性耦接至该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件的该栅极，配置以依据一抹除电位线的一抹除电位而抹除该第一浮接栅极元件与该第二浮接栅极元件中的该电性状态。

本发明的另一目的在于提供一种非易失性存储器装置，包含：第一浮接栅极元件、第二浮接栅极元件、第一选择栅极元件、第三浮接栅极元件、第四浮接栅极元件以及第二选择栅极元件。第一浮接栅极元件包含第一栅极，并配置以根据第一读取电位、第一控制电位以及第一栅极的第一电性状态产生第一读取电流。第二浮接栅极元件与第一浮接栅极元件共用第一栅极，并配置以根据第一写入电位以及第一控制电位决定第一栅极的第一电性状态。第一选择栅极元件电性耦接于第一浮接栅极元件以及第二浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。第三浮接栅极元件包含第二栅极，并配置以根据第二读取电位、第二控制电位以及第二栅极的第二电性状态产生第二读取电流。第四浮接栅极元件与第三浮接栅极元件共用第二栅极，并配置以根据第二写入电位以及第二控制电位决定第二栅极的第二电性状态。第二选择栅极元件电性耦接于第三浮接栅极元件以及第四浮接栅极元件，并配置以根据字符驱动电位以及源极驱动电位产生控制电位。