[发明专利]Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810126896.6 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108342702A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;康亮亮;张阳;蒋良兴;翁娜娜;李靖 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 陈铭浩 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜材料的制备方法，该铜锶锡硫硒薄膜材料的制备方法包括：在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu‑Sr‑Sn‑S/Se预制层；将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu2SrSn(SxSe1‑x)4的表面进行刻蚀处理，得到高质量Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜材料。本发明提出的Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜材料 薄膜 高温退火 预制层 反应溅射沉积 成分可控性 表面沉积 基材表面 清洁处理 反应性 均匀性 硒薄膜 重现性 放入 基材 可调 刻蚀 锡硫 生长 | ||
【主权项】：
1.一种Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括：第一步，基材表面清洁处理；第二步，在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu‑Sr‑Sn‑S或Cu‑Sr‑Sn‑Se或Cu‑Sr‑Sn‑S‑Se预制层；第三步，将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理，得到Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜，其中，0≤x≤1；第四步，对高温退火处理后的Cu2SrSn(SxSe1‑x)4薄膜表面进行刻蚀处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810126896.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于表面处理的设备和方法
- 下一篇：遮蔽板以及溅射装置
- 同类专利
- 专利分类
