[发明专利]半导体存储器结构及其制备方法

摘要

本公开的实施例提供一种半导体存储器结构及其制备方法。该半导体存储器结构包括：一基底，该基底包括一第一隔离结构和至少一个主动区，且该主动区由该第一隔离结构所定义；一第二隔离结构，设置在该主动区中；一第一埋入式字元线和一第二埋入式字元线，设置在该第二隔离结构；以及至少一埋入式数字线，设置在主动区中。该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的最顶部低于该第二隔离结构的一顶表面，且该埋入式数字线的一顶表面低于该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的底表面。

主权项

1.一半导体存储器结构，包括：一基底，包括一第一隔离结构，和至少一主动区，是由该第一隔离结构所定义；一第二隔离结构，是设置在该主动区中；一第一埋入式字元线和一第二埋入式字元线，是设置在该第二隔离结构中，其中该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的一最顶部低于该第二隔离结构的一顶表面；以及至少一埋入式数字线，是设置在主动区中，其中该埋入式数字线的一顶表面低于该第一埋入式字元线和该第二埋入式字元线的一底表面。