[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在体衬底上的器件区域上形成第一外延层，器件区域的第一外延层中形成有外延柱，并在外延柱和第一外延层上形成第二外延层，而后，去除第一外延层，而后通过氧化工艺，将外延柱充分氧化，同时去除第二外延层的所在位置处的第一外延层和体衬底相对的表面也被氧化，从而在第二外延层和体衬底之间形成埋氧层，之后可以在器件区域的第二外延层上形成所需的器件结构，这样，就在体衬底上实现了SOI器件的制造。该方法通过体衬底形成SOI器件，降低制造成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供体衬底，所述体衬底具有器件区域和非器件区域；在所述体衬底上形成第一外延层，所述器件区域的第一外延层中具有暴露所述体衬底的通孔；在所述通孔中形成外延柱，以及在所述第一外延层和所述外延柱上形成第二外延层，所述外延柱和所述第二外延层为半导体材料；对所述非器件区域进行刻蚀，以形成至少暴露所述第一外延层侧壁的沟槽；通过所述沟槽去除所述第一外延层；进行氧化工艺，使得所述外延柱以及所述第二外延层和所述体衬底相对的表面氧化，以在所述第二外延层和所述体衬底之间形成埋氧层；在所述器件区域的第二外延层上形成器件结构。