[发明专利]主动元件基板及其制造方法有效
申请号: | 201810117503.5 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN108231801B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 张吉和 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种主动元件基板包括基板及主动元件。主动元件包括凸起物、位于凸起物上的栅极、半导体层、位于栅极与半导体层之间的栅极绝缘层、与半导体层电性连接的第一、二电极。凸起物具有第一上表面、第二上表面、内侧面及外侧面。第二上表面与基板的距离大于第一上表面与基板的距离。内侧面与第一上表面定义凹部。内侧面、第二上表面及外侧面定义凸部。半导体层位于第一上表面、内侧面、第二上表面及外侧面。第一电极位于至少部分的外侧面。第二电极位于凸起物的凹部。凸部隔开第一电极与第二电极。此外,上述主动元件基板的制造方法也被提出。 | ||
搜索关键词: | 主动 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种主动元件基板,包括:一基板;至少一主动元件,位于该基板上,该主动元件包括:一凸起物,位于该基板上且具有:一第一上表面;一第二上表面,该第二上表面与该基板的距离大于该第一上表面与该基板的距离;一内侧面,连接于该第一上表面与该第二上表面之间,其中该内侧面与该第一上表面定义一凹部;以及一外侧面,与该第二上表面相连于至少一侧边,其中该内侧面、该第二上表面及该外侧面定义一凸部;一栅极,覆盖该凸起物;一半导体层,位于该凸起物的该第一上表面、该内侧面、该第二上表面以及该外侧面;一栅极绝缘层,位于该栅极与该半导体层之间;一第一电极,位于该凸起物的至少部分的该外侧面且与该半导体层电性连接;以及一第二电极,位于该凸起物的该凹部且与该半导体层电性连接,其中该凸起物的该凸部隔开该第一电极与该第二电极;以及至少一像素电极,该像素电极与对应的该主动元件的该第二电极电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的