[发明专利]主动元件基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810117503.5 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN108231801B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 张吉和 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种主动元件基板包括基板及主动元件。主动元件包括凸起物、位于凸起物上的栅极、半导体层、位于栅极与半导体层之间的栅极绝缘层、与半导体层电性连接的第一、二电极。凸起物具有第一上表面、第二上表面、内侧面及外侧面。第二上表面与基板的距离大于第一上表面与基板的距离。内侧面与第一上表面定义凹部。内侧面、第二上表面及外侧面定义凸部。半导体层位于第一上表面、内侧面、第二上表面及外侧面。第一电极位于至少部分的外侧面。第二电极位于凸起物的凹部。凸部隔开第一电极与第二电极。此外,上述主动元件基板的制造方法也被提出。
搜索关键词: 主动 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种主动元件基板,包括:一基板;至少一主动元件,位于该基板上,该主动元件包括:一凸起物,位于该基板上且具有:一第一上表面;一第二上表面,该第二上表面与该基板的距离大于该第一上表面与该基板的距离;一内侧面,连接于该第一上表面与该第二上表面之间,其中该内侧面与该第一上表面定义一凹部;以及一外侧面,与该第二上表面相连于至少一侧边,其中该内侧面、该第二上表面及该外侧面定义一凸部;一栅极,覆盖该凸起物;一半导体层,位于该凸起物的该第一上表面、该内侧面、该第二上表面以及该外侧面;一栅极绝缘层,位于该栅极与该半导体层之间;一第一电极,位于该凸起物的至少部分的该外侧面且与该半导体层电性连接;以及一第二电极,位于该凸起物的该凹部且与该半导体层电性连接,其中该凸起物的该凸部隔开该第一电极与该第二电极;以及至少一像素电极,该像素电极与对应的该主动元件的该第二电极电性连接。
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