[发明专利]一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器在审
| 申请号： | 201810115166.6 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108376725A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张宝林;徐佳新;徐德前;庄仕伟;张源涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，属于红外探测技术领域。该探测器由下至上依次由背电极、重掺杂的N+型InP衬底、重掺杂的N+型InP电子传输层、未掺杂的窄禁带InSb有源区、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层以及栅条形上电极)组成。本发明采用低压金属有机物化学气相外延技术，在重掺杂的N+型InP衬底制备相应结构，并利用磁控溅射技术制备上电极和背电极，得到的器件具有探测率高、响应速度快、工作温度高、制备工艺简单等特点，在室温条件下，归一化探测率D*为2.4×1010cm Hz1/2W‑1，可应用于航天、军事、工业、民用等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺杂 光伏型红外探测器 背电极 探测率 电极 衬底 异质 制备 磁控溅射技术 红外探测技术 气相外延技术 电子传输层 空穴传输层 有机物化学 低压金属 室温条件 制备工艺 归一化 未掺杂 栅条形 探测器 禁带 源区 航天 响应 军事 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：由下至上依次由背电极(1)、重掺杂的N+型InP衬底(2)、重掺杂的N+型InP电子传输层(3)、未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层(5)以及栅条形上电极(6)组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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