[发明专利]一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器在审
| 申请号： | 201810115166.6 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108376725A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张宝林;徐佳新;徐德前;庄仕伟;张源涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 重掺杂 光伏型红外探测器 背电极 探测率 电极 衬底 异质 制备 磁控溅射技术 红外探测技术 气相外延技术 电子传输层 空穴传输层 有机物化学 低压金属 室温条件 制备工艺 归一化 未掺杂 栅条形 探测器 禁带 源区 航天 响应 军事 应用 | ||
1.一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：由下至上依次由背电极(1)、重掺杂的N+型InP衬底(2)、重掺杂的N+型InP电子传输层(3)、未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)、重掺杂的P+型GaSb空穴传输层(5)以及栅条形上电极(6)组成。
2.如权利要求1所述的一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：重掺杂的N+型InP衬底(2)的施主掺杂浓度为1×1018～2×1018cm-3，厚度为3.5～5.0μm；重掺杂的N+型InP电子传输层(3)的施主掺杂浓度为5×1018～8×1018cm-3，厚度为0.2～0.5μm；未掺杂的窄禁带InSb有源区(4)的厚度为0.5～2μm；重掺杂的P+型GaSb空穴传输层(5)的受主掺杂浓度为9×1017～1.2×1018cm-3，厚度为0.2～0.5μm。
3.如权利要求1所述的一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：P+型受主掺杂剂为Be、Mg、C或Zn；N+型施主掺杂剂为Se、Te或Sn。
4.如权利要求1所述的一种基于GaSb/InSb/InP异质PIN结构的光伏型红外探测器，其特征在于：栅条形上电极(6)和背电极(1)的材料是Al、Cu、Au、Ag或Pt，是在器件的上表面和下表面通过蒸发工艺制备的；背电极的厚度为200～300nm，栅条形上电极的厚度为200～300nm，栅条形上电极覆盖面积占电池上表面面积的8～15％。
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