[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法在审
| 申请号： | 201810111356.0 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN109524539A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 村上修一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻效应元件 蚀刻 积层体 氧化镁 制造 强磁性层 离子束 选择比 掩模 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件的制造方法，其包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。
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