[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法

权利要求书

1.一种磁阻效应元件的制造方法，其包括：

形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；

及

通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层在开始进行所述蚀刻时，具有孤立的图案。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备结晶性化合物。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备硫酸银(I)、氯化铝、氟化铝、莫来石、硫酸铝、五氧化二砷、三氧化二砷、氧化铝、碳酸钡矿、氟化钡、硝酸钡、紫翠玉、氢氧化钙、氯化钙、方解石、萤石、白云石、氧化钙、钙钛矿、孔雀石、铁橄榄石、氧化镧、氢氧化镁、镁橄榄石、尖晶石、菱镁矿、冰晶石、氮化硅、β2-鳞石英、氧化钐、及金红石中的至少1种。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述积层体还包含金属层，

且

所述第2层形成在所述金属层上。

6.根据权利要求5所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述金属层包含钽，且

所述第2层具备结晶性化合物。

7.根据权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备结晶性化合物。

8.根据权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层具备硫酸银(I)、氯化铝、氟化铝、莫来石、硫酸铝、五氧化二砷、三氧化二砷、氧化铝、碳酸钡矿、氟化钡、硝酸钡、紫翠玉、氢氧化钙、氯化钙、方解石、萤石、白云石、氧化钙、钙钛矿、孔雀石、铁橄榄石、氧化镧、氢氧化镁、镁橄榄石、尖晶石、菱镁矿、冰晶石、氮化硅、β2-鳞石英、氧化钐、及金红石中的至少一种。

9.根据权利要求2所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述积层体还包含金属层，

且

所述第2层形成在所述金属层上。

10.根据权利要求9所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述金属层包含钽，且

所述第2层具备结晶性化合物。

11.根据权利要求3所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述积层体还包含金属层，

且

所述第2层形成在所述金属层上。

12.根据权利要求11所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述金属层包含钽，且

所述第2层具备结晶性化合物。

13.根据权利要求4所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述积层体还包含金属层，

且

所述第2层形成在所述金属层上。

14.根据权利要求13所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述金属层包含钽，且

所述第2层具备结晶性化合物。

15.根据权利要求14所述的磁阻效应元件的制造方法，其中所述第2层在开始进行所述蚀刻时，具有孤立的图案。

16.一种磁阻效应元件，其具备：

第1强磁性层、

所述第1强磁性层上的含有氧化镁的第1层、

所述第1层上的第2强磁性层、

所述第2强磁性层的上方的金属层、及

所述金属层上的第2层，且

所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的蚀刻具有大于1的选择比。