[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法

说明书

本发明涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。

相关申请案

本申请案享有以日本专利申请案2017-180050号(申请日：2017年9月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式总体而言涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。

背景技术

业界已知有表现出磁阻效应的磁阻效应元件。磁阻效应是在2个强磁性体的磁化方向平行时及反平行时，磁阻效应元件表现出不同阻抗的现象。

发明内容

实施方式提供一种经改善的磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。

总体而言，根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。

附图说明

图1表示一实施方式的磁存储装置的局部截面构造。

图2表示一实施方式的磁存储装置的经放大的局部截面构造。

图3表示一实施方式的磁存储装置的制造步骤中的一状态。

图4表示几种材料的标准生成焓的绝对值。

图5表示几种材料的标准生成焓的绝对值。

图6表示继图3之后的状态。

图7表示继图6之后的状态。

图8表示实施方式的变形例的磁存储装置的局部截面构造。

图9表示实施方式的变形例的磁存储装置的制造步骤中的一状态。

图10表示继图9之后的状态。

图11表示继图10之后的状态。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。在以下的叙述中，对具有大致相同功能及构成的构成要素标附相同符号，且有时省略重复说明。附图是示意性的图，厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等可能与实际不同。另外，在附图相互之间也可能包含彼此的尺寸关系或比率不同的部分。实施方式例示的是用以将该实施方式的技术思想具体化的装置或方法，实施方式的技术思想并不将构成零件的材质、形状、构造、配置等特定于以下内容。

图1表示一实施方式的磁存储装置的局部截面构造。如图1所示，在导电体1上，设置有MTJ(magnetic tunnel junction，磁隧道结)元件2。导电体1例如可以是硅衬底(未图示)上的电极，也可以是硅衬底中的导入有杂质的部分。

MTJ元件2沿xy面具有例如实质上圆形的形状。MTJ元件2至少包含强磁性体11、非磁性体12、强磁性体13。非磁性体12位于强磁性体11及强磁性体13之间，例如在强磁性体11及强磁性体13之间，与强磁性体11及强磁性体13相接。强磁性体11及强磁性体13均可位于下侧。强磁性体11、非磁性体12、及强磁性体13沿z轴进行积层。