[发明专利]一种超高精度位移量的测量方法在审
| 申请号： | 201810109609.0 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108303016A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 叶志刚;朱君颜 | 申请（专利权）人： | 叶志刚 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02;G01B7/30;G01D5/24 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 234000 安徽省宿州市埇*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超高精度位移量的测量方法，将测量传感器所形成的拟合电容与锁相环电路的变容二极管并联，鉴相器配合LPF对VCO振荡产生的本振频率值与MCU传递的设置频率值比较产生锁相误差电压，误差电压以负反馈调整本振频率使其跟踪并等于锁相环PLL设置频率并达到与PLL晶振相同的精度，无限趋近或等于一锁相电压中心值，利用此误差电压及误差电压变量值反测出锁相环ＬＣ振荡器中的Ｃ总电容实时值及拟合电容实时值和变量值，由拟合电容变量值计算出位移或角度或磁滞信号的测量值，利用校正系数校正实现超高精度的测量。本发明测量范围宽，超高稳定性，成本相对较低，测量值精度0.05%，分辨率20nm，测量范围300mm，重复性达到0.1%。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 误差电压 电容 拟合 本振频率 精度位移 锁相环 变容二极管 测量传感器 锁相环电路 磁滞信号 校正系数 负反馈 鉴相器 相电压 振荡器 总电容 分辨率 并联 振荡 晶振 校正 传递 跟踪 配合 | ||
【主权项】：
1.一种超高精度位移量的测量方法，其特征在于：将测量位移量或角度变量或磁滞信号变量的传感器所形成的拟合电容与锁相环电路的变容二极管并联，鉴相器配合LPF对VCO振荡产生的本振频率值与MCU传递的设置频率值进行比较，产生一个锁相误差电压，误差电压以负反馈闭环形式调整本振频率使其跟踪并等于锁相环PLL设置频率，并达到与PLL晶振相同的精度，以微分积分及中值定理的形式无限趋近或等于一锁相电压中心值，且经过标定的实时误差电压决定本振频率值，利用此误差电压及误差电压变量值反测出锁相环ＬＣ振荡器中的Ｃ总电容实时值及拟合电容实时值和变量值，由拟合电容变量值计算出位移或角度或磁滞信号的测量值，并利用存储的温度、校正电容及测量值的校正系数进行校正，进一步得到超高精度的测量值，实现超高精度的位移或角度或磁滞信号的测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于叶志刚，未经叶志刚许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810109609.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
