[发明专利]开关阵列基板及其制造方法

摘要

本申请揭露一种开关阵列基板及其制造方法。所述制造方法包括：形成图案化的一第一导电层，其中图案化的第一导电层构成至少一闸极线与至少一闸电极，闸极线与闸电极电连接，并分别包括一第一子层与位于第一子层上的一第二子层，第一子层在平行基材的方向上突出于第二子层，且第二子层具有一倾斜侧壁；图案化一半导体材料层，使半导体材料层对应于闸电极而设置；图案化一第二导电层，以于半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，闸电极分别使源电极和漏电极自对准重叠；以及对应于闸极线形成图案化的一透明导电层于闸极介电层上。

主权项

1.一种开关阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在一基材上形成一缓冲层；在所述缓冲层上形成图案化的一第一导电层，其中图案化的所述第一导电层构成至少一闸极线与至少一闸电极，所述闸极线与所述闸电极电连接，并分别包括一第一子层与位于所述第一子层上的一第二子层，所述第一子层在平行所述基材的方向上突出于所述第二子层，且所述第二子层具有一倾斜侧壁；形成一闸极介电层于所述闸极线、所述闸电极与所述缓冲层上；形成一半导体材料层于所述闸极介电层上并图案化所述半导体材料层，使所述半导体材料层对应于所述闸电极而设置；形成一第二导电层在所述半导体材料层与所述闸极介电层上，并图案化所述第二导电层，以于所述半导体材料层上分别形成一源电极与一漏电极，其中所述源电极与所述漏电极分别接触所述半导体材料层，且所述闸电极分别使所述源电极和所述漏电极自对准重叠；以及对应于所述闸极线形成图案化的一透明导电层于所述闸极介电层上。