[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括步骤：在衬底上制作扫描线和栅极，覆盖第一绝缘层，在第一绝缘层上制作有源层，在有源层上制作数据线、源极和漏极，覆盖第二绝缘层，并在源极或漏极处制作第一接触孔，覆盖平坦层，并在第一接触孔处制作第二接触孔，沉积第一导电层，先不对该第一导电层采取刻蚀，在该第一导电层上制作金属电极，再对第一导电层进行刻蚀，并露出源极或漏极，覆盖第三绝缘层，并在第二接触孔处制作第三接触孔，在第三绝缘层上制作像素电极，该像素电极与源极或漏极接触连接。本发明还提供一种由上述方法制作而成的薄膜晶体管阵列基板和一种包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底(101)上制作第一金属层，该第一金属层包括扫描线和栅极(102)；在该衬底(101)上沉积覆盖该第一金属层的第一绝缘层(103)；在该第一绝缘层(103)上制作有源层(104)；在该第一绝缘层(103)上制作第二金属层，该第二金属层包括数据线、源极(106)和漏极(105)，该源极(106)和该漏极(105)分别与该有源层(104)连接；在该第一绝缘层(103)上沉积覆盖该第二金属层的第二绝缘层(107)，并在该第二绝缘层(107)中制作第一接触孔(201)；在该第二绝缘层(107)上沉积平坦层(108)，并在该平坦层(108)中制作第二接触孔(202)，其中该第二接触孔(202)与该第一接触孔处(201)位置相对应；在该平坦层(108)上沉积第一导电层(109)，该第一导电层(109)覆盖住该第二接触孔(202)，先不对该第一导电层(109)进行刻蚀；在该第一导电层(109)上制作金属电极(110)；在形成该金属电极(110)后，再对该第一导电层(109)进行蚀刻，该第一导电层(109)在蚀刻后形成公共电极(111)；沉积覆盖该金属电极(110)与该公共电极(111)的第三绝缘层(112)，并在该第三绝缘层(112)中制作第三接触孔(203)，其中该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)位置相对应；在该第三绝缘层(112)上沉积第二导电层并制作为像素电极(113)，其中该像素电极(113)填入该第三接触孔(203)与该第二接触孔(202)中并与该第二金属层的源极(106)或漏极(105)接触连接。