[发明专利]闪存的制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存的制造方法，步骤包括：完成闪存单元的栅极结构和源区的制作；采用生长和全面刻蚀工艺形成在多晶硅行的两侧形成第一道侧墙；生长第四氮化层将两个多晶硅行的第一侧之间的间距完全填充；光刻保护源区顶部的第四氮化层，之后进行第四氮化层的刻蚀在多晶硅行的第二侧形成第二道侧墙；进行第一次源漏注入形成闪存单元的漏区；沉积第五氧化硅层，采用有源区的光罩进行光刻定义并对第五氧化硅层进行刻蚀；采用源区的光罩进行光刻定义并将源区顶部的第四氮化层去除；同时在多晶硅行的两侧的源区和漏区表面形成金属硅化物；形成层间膜；形成接触孔，正面金属层，对正面金属层进行图形化。本发明能降低源区的接触电阻，提高编程效率。

主权项

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，闪存包括存储区和外围电路区，所述存储区包括由多个闪存单元排列形成的闪存单元阵列；所述闪存的存储区的制造步骤包括：步骤一、在所述存储区中形成有源区并完成所述闪存单元的栅极结构和源区的制作；各所述闪存单元的栅极结构包括由第一栅氧化层、多晶硅浮栅、第二控制栅介质层和多晶硅控制栅形成的叠加结构；在所述闪存单元阵列中，所述有源区由形成于硅衬底表面的场氧隔离，各所述有源区呈条形结构并平行排列；同一行的各所述闪存单元的所述多晶硅控制栅连接在一起并组成多晶硅行；各所述多晶硅行和所述有源区的交叠区域为所述闪存单元的栅极结构的形成区域，所述多晶硅浮栅位于所述闪存单元的栅极结构的形成区域中；所述闪存单元的源区位于相邻的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述硅衬底中，同一行的各所述闪存单元的源区的底部都连接到同一根源区行线；相邻的两个所述多晶硅行的第二侧之间的区域为所述闪存单元的漏区形成区，两个所述多晶硅行的第一侧之间间距小于两个所述多晶硅行的第二侧之间间距；步骤二、采用生长和全面刻蚀工艺形成在所述多晶硅行的两侧形成第一道侧墙，所述第一道侧墙由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成，控制所述第一道侧墙的生长厚度使刻蚀后两个所述多晶硅行的第一侧之间依然具有间距；步骤三、生长第四氮化层，所述第四氮化层将两个所述多晶硅行的第一侧之间的间距完全填充；步骤四、采用所述源区的光罩进行光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层保护，所述源区之外的所述第四氮化层的表面打开；之后，以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述第四氮化层进行刻蚀在各所述多晶硅行的第二侧形成第二道侧墙，各所述多晶硅行的第二侧的第一道侧墙和第二道侧墙叠加形成所需要厚度的侧墙结构，之后去除所述第一光刻胶图形；步骤五、在所述存储区进行第一次源漏注入在两个所述多晶硅行的第二侧之间的所述有源区中形成所述闪存单元的漏区，所述闪存单元的漏区和对应的所述多晶硅行的第二侧的所述第二道侧墙的侧面自对准；所述源区的底部被填充于两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层和所述第一道侧墙保护而不受所述第一次源漏注入的影响；步骤六、沉积第五氧化硅层将两个所述多晶硅行的第二侧之间的间距完全填充；采用所述有源区的光罩进行光刻定义并对所述第五氧化硅层进行刻蚀将两个所述多晶硅行的第二侧间隔和所述有源区交叠区中的所述第五氧化硅层去除并将所述硅衬底表面露出；步骤七、采用所述源区的光罩进行光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层表面打开，所述源区之外的区域覆盖；以所述第二光刻胶图形为掩膜将所述源区顶部的两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述第四氮化层去除并将所述硅衬底表面露出；步骤八、同时在两个所述多晶硅行的第一侧之间的所述源区表面以及在两个所述多晶硅行的第二侧之间的所述漏区表面形成金属硅化物；步骤九、形成层间膜，所述层间膜将两个所述多晶硅行的第一侧之间的间隔完全填充以及将两个所述多晶硅行的第二侧之间的间隔完全填充并覆盖各所述多晶硅行的顶部；步骤十、形成接触孔，正面金属层，对所述正面金属层进行图形化形成字线、位线和源线，各所述多晶硅行通过接触孔连接到对应行的所述字线，各所述闪存单元的所述漏区通过对应的接触孔连接到对应列的所述位线，各所述源区行线通过接触孔连接到对应行的所述源线。