[发明专利]一种光刻胶监控方法有效
申请号: | 201810083427.0 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108288595B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 李镇勇 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供的光刻胶监控方法,包括:提供一个晶圆、待监控光刻胶,待监控光刻胶和晶圆之间形成有蚀刻层,在一个晶圆的不同位置采用不同曝光能量对光刻胶进行曝光,显影、蚀刻,得到不同位置的不同蚀刻结果,不同蚀刻结果对应不同的曝光能量,从蚀刻结果确定出待监控光刻胶的曝光能量,从而快速抓取新光刻胶的工艺条件,缩短光刻胶曝光能量确定所需要的时间,进而提高工作效率。同时,本发明提供的光刻胶监控方法仅采用一个晶圆涂布一层光刻胶即可实现待监控光刻胶曝光能量的确定,无需多个晶圆和光刻胶的多次涂布,从而节省了晶圆材料和光刻胶材料的使用,降低了光刻胶监控的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 监控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻胶监控方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆和待监控光刻胶;在所述第一晶圆上形成第一蚀刻层;将所述待监控光刻胶涂布在所述第一蚀刻层的表面并烘烤凝胶,所述待监控光刻胶的厚度及烘烤条件与目标光刻胶的厚度及烘烤条件均相同;将所述待监控光刻胶分为多个区域,并编号1、2、3……N,其中,N≥3;对所述待监控光刻胶上多个区域分别进行曝光,标号不相同的区域,曝光能量不同,其中,相邻标号的区域相差预设曝光能量△Q,且,第n区域的曝光能量为所述目标光刻胶显影干净时对应的曝光能量,1≤n≤N;显影后烘烤,所述待监控光刻胶的显影条件和目标光刻胶的显影条件相同;对所述第一蚀刻层进行蚀刻;根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造