[发明专利]一种光刻胶监控方法

权利要求书

1.一种光刻胶监控方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和待监控光刻胶；

在所述第一晶圆上形成第一蚀刻层；

将所述待监控光刻胶涂布在所述第一蚀刻层的表面并烘烤凝胶，所述待监控光刻胶的厚度及烘烤条件与目标光刻胶的厚度及烘烤条件均相同；

将所述待监控光刻胶分为多个区域，并编号1、2、3……N，其中，N≥3；

对所述待监控光刻胶上多个区域分别进行曝光，标号不相同的区域，曝光能量不同，其中，相邻标号的区域相差预设曝光能量△Q，且，第n区域的曝光能量为所述目标光刻胶显影干净时对应的曝光能量，1≤nN，当N为偶数时，n＝N/2；当N为奇数时，n＝(N+1)/2；

显影后烘烤，所述待监控光刻胶的显影条件和目标光刻胶的显影条件相同；

对所述第一蚀刻层进行蚀刻；

根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。

2.根据权利要求1所述的光刻胶监控方法，其特征在于，所述根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量，具体包括：

确定所述待监控光刻胶上与非完全蚀刻标号相邻的完全蚀刻的标号；

将所述完全蚀刻标号对应的曝光能量确定为所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。

3.根据权利要求1所述的光刻胶监控方法，其特征在于，还包括：

提供第二晶圆和目标光刻胶；

在所述第二晶圆上形成第二蚀刻层；

在所述待监控光刻胶涂布的同时，将所述目标光刻胶涂布在所述第二蚀刻层的表面；

在所述目标光刻胶与所述待监控光刻胶相同位置采用相同曝光能量对所述目标光刻胶进行曝光；

显影后烘烤；

对所述第二蚀刻层进行蚀刻。

4.根据权利要求3所述的光刻胶监控方法，其特征在于，所述根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量，具体包括：

一一比对所述待监控光刻胶与所述目标光刻胶对应位置的蚀刻结果；

若相同位置的蚀刻结果相同，则所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量与所述目标光刻胶显影干净时曝光能量相同；

若相同位置的蚀刻结果不相同，则确定所述待监控光刻胶与非完全蚀刻标号相邻的完全蚀刻的标号；

将所述完全蚀刻标号对应的曝光能量确定为所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。

5.根据权利要求1的光刻胶监控方法，其特征在于，所述预设曝光能量△Q小于或等于所述目标光刻胶显影干净时对应的曝光能量的3％。

6.根据权利要求1的光刻胶监控方法，其特征在于，第m区域的曝光能量小于第m+1区域的曝光能量，其中，1≤m≤N-1。

7.根据权利要求1的光刻胶监控方法，其特征在于，第m区域的曝光能量大于第m+1区域的曝光能量，其中，1≤m≤N-1。