[发明专利]一种光刻胶监控方法

说明书

本申请提供的光刻胶监控方法，包括：提供一个晶圆、待监控光刻胶，待监控光刻胶和晶圆之间形成有蚀刻层，在一个晶圆的不同位置采用不同曝光能量对光刻胶进行曝光，显影、蚀刻，得到不同位置的不同蚀刻结果，不同蚀刻结果对应不同的曝光能量，从蚀刻结果确定出待监控光刻胶的曝光能量，从而快速抓取新光刻胶的工艺条件，缩短光刻胶曝光能量确定所需要的时间，进而提高工作效率。同时，本发明提供的光刻胶监控方法仅采用一个晶圆涂布一层光刻胶即可实现待监控光刻胶曝光能量的确定，无需多个晶圆和光刻胶的多次涂布，从而节省了晶圆材料和光刻胶材料的使用，降低了光刻胶监控的成本。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶监控方法。

背景技术

目前，半导体制造主要是在衬底的晶片上生长半导体器件的各层结构，并进行互连。无论离子注入工艺还是刻蚀工艺，当需要在半导体器件上的预定区域进行操作时，为了避免其他不需要被离子注入或刻蚀的区域被注入离子或刻蚀掉，需要用光刻胶(Photoresist，PR)进行覆盖，以对非预定区域进行保护。

相同厂商生产的不同批次的光刻胶，会造成光刻胶对离子注入的阻挡能力是不同的，因此，在生产过程中需要对光刻胶进行监控，避免相同生产工艺条件下，不同光刻胶的遮挡效果不同，造成半导体器件制作失效。又或者不同光刻胶厂商生产的光刻胶材质不同，光刻胶对离子注入的阻挡能力也不同的，而出于生产成本考虑，半导体制作厂上通常会选取性价比更高的光刻胶来代替当前使用的光刻胶。在光刻胶更换后，也需要对新的光刻胶进行监控，以便匹配当前的生产工艺条件或调整当前的生产工艺条件以匹配新的光刻胶。

现有技术中通常将新引入的光刻胶与当前的光刻胶进行曝光、显影，观察显影干净程度，对新光刻胶进行监控，并寻找适应新光刻胶的工艺条件。但是，现有技术中的光刻胶监控方法所需要的时间较长，无法快速明确的抓取新光刻胶的工艺条件，导致光刻胶评估效率低下。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种光刻胶监控方法，以解决现有技术中光刻胶监控方法所需要的时间较长，无法快速明确的抓取新光刻胶的工艺条件，导致光刻胶评估效率低下的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种光刻胶监控方法，包括：

提供第一晶圆和待监控光刻胶；

在所述第一晶圆上形成第一蚀刻层；

将所述待监控光刻胶涂布在所述第一蚀刻层的表面并烘烤凝胶，所述待监控光刻胶的厚度及烘烤条件与目标光刻胶的厚度及烘烤条件均相同；

将所述待监控光刻胶分为多个区域，并编号1、2、3……N，其中，N≥3；

对所述待监控光刻胶上多个区域分别进行曝光，标号不相同的区域，曝光能量不同，其中，相邻标号的区域相差预设曝光能量△Q，且，第n区域的曝光能量为所述目标光刻胶显影干净时对应的曝光能量，1≤n≤N；

显影后烘烤；

对所述第一蚀刻层进行蚀刻；

根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。

优选地，所述根据蚀刻结果确定所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量，具体包括：

确定所述待监控光刻胶上与非完全蚀刻标号相邻的完全蚀刻的标号；

将所述完全蚀刻标号对应的曝光能量确定为所述待监控光刻胶显影干净时的曝光能量。

优选地，还包括：

提供第二晶圆和目标光刻胶；

在所述第二晶圆上形成第二蚀刻层；