[发明专利]一种感性负载下MOSFET开关控制方法在审
| 申请号： | 201810075585.1 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108199704A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 蔺志佳;刘任豪;张雪 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | H03K17/695 | 分类号： | H03K17/695;H03K17/081;H03K17/14;H03K17/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种感性负载下MOSFET开关控制方法，以改善感性负载下MOSFET器件开关过程中的损耗问题和关断尖峰问题。本发明包括一个控制信号模块，一个栅极电阻切换模块，一个负感性载模块以及一个开关器件。其特征在于，控制信号模块输出控制信号到栅极电阻切换模块，栅极电阻切换模块在不同的控制信号下采取适当的栅极电阻组合控制开关器件导通、关闭，最终达到降低开关损耗，抑制电压和电流的振荡和过冲的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电阻 感性负载 控制信号模块 组合控制开关 尖峰 开关过程 开关器件 开关损耗 控制信号 输出控制 振荡 导通 关断 感性 | ||
【主权项】：
1.一种感性负载下MOSFET开关控制方法，包括：一个控制信号模块，一个栅极电阻切换模块，一个负载模块以及一个开关器件；其特征在于，控制信号模块与栅极电阻切换模块连接，栅极电阻切换模块与外部电源以及开关器件的栅极连接，开关器件漏极与感性负载模块串联接电源正极，开关器件源极接电源负极。
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