[发明专利]三维纵向电编程存储器在审
| 申请号： | 201810072214.8 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110085622A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L27/22;G11C13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种三维纵向电编程存储器（3D‑EPMV）。它含有多层堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙、厚度小于100nm的薄存储膜（包括编程膜和二极管膜），多条形成在存储井中的竖直地址线。由于薄存储膜具有较大反向漏电流，为了避免读错误或高能耗，存储阵列中存储元所受的最大反向偏置电压的值远小于最小正向偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 编程存储器 存储 水平地址 存储膜 三维 反向偏置电压 正向偏置电压 反向漏电流 二极管 存储阵列 覆盖存储 地址线 边墙 堆叠 多层 井中 竖直 编程 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种三维纵向电编程存储器（3D‑EPMV），其特征还在于含有：一含有一衬底电路(0K)的半导体衬底(0)；多层处于该衬底电路(0K)之上并垂直堆叠的水平地址线(8a‑8h)；多个穿透所述多层水平地址线(8a‑8h)并相互平行的存储井(2a‑2d)；一层覆盖该存储井(2a‑2d)边墙的存储膜(6a)，所述存储膜(6a)的厚度小于100nm；多条位于该存储井(2a‑2d)中的竖直地址线(4a‑4d)；多个位于所述水平地址线(8a‑8h)和所述竖直地址线(2a‑2d)交叉处的存储元(1ha‑1aa)；在读阶段下，所述存储元所受的最大反向偏置电压的值远小于所述存储元所受的最小正向偏置电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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