[发明专利]一种半导体构件的制造方法在审
| 申请号： | 201810070650.1 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110164752A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 程平 | 申请（专利权）人： | 安徽华晶微电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体构件的制造方法，其具有在硅系基板上形成由氮化物系半导体所构成的缓冲层的工序、及在前述缓冲层上形成有源层的工序，所述阶段是以前述缓冲层的硼浓度从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少的方式，将硼导入前述缓冲层，前述形成缓冲层的工序包含将硼导入前述缓冲层的阶段，利用闪光灯与光罩，照射半导体的前述缓冲层，使该缓冲层的硼变为一熔融状态，至结晶化缓冲层的硼熔融态；本发明相比现有技术具有以下优点：该半导体构件的制造方法，使得所述半导体基板在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 半导体构件 源层 硅系 基板 氮化物系半导体 制造 半导体基板 熔融状态 结晶化 熔融态 闪光灯 光罩 位错 半导体 照射 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体构件的制造方法，其具有在硅系基板上形成由氮化物系半导体所构成的缓冲层的工序、及在前述缓冲层上形成有源层的工序，所述阶段是以前述缓冲层的硼浓度从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少的方式，其特征在于，将硼导入前述缓冲层，前述形成缓冲层的工序包含将硼导入前述缓冲层的阶段，利用闪光灯与光罩，照射半导体的前述缓冲层，使该缓冲层的硼变为一熔融状态，至结晶化缓冲层的硼熔融态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽华晶微电子材料科技有限公司，未经安徽华晶微电子材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810070650.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
