[发明专利]一种电力用半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201810068824.0 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN108231604A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 韩德军 | 申请(专利权)人: | 韩德军 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/535 |
代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 郭伟红 |
地址: | 262700 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种电力用半导体装置的制造方法,本发明利用两块上下布置的陶瓷基板进行布置半导体元件,可以节约布线材料,且有利于节约横向空间;该封装体更为紧凑,在此同时利用陶瓷基板内的散热通道进行高效散热,防止封装体的温度过高带来的弊端;第二陶瓷基板插入所述壳体可以防止其挤压下层的半导体元件,壳体可以起到支撑作用。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷基板 电力用半导体装置 半导体元件 封装体 壳体 布线材料 高效散热 横向空间 散热通道 上下布置 温度过高 支撑作用 节约 下层 紧凑 制造 挤压 | ||
【主权项】:
1.一种电力用半导体装置的制造方法,包括以下步骤:(1)提供第一陶瓷基板,其具有相对的第一表面和第二表面,在所述第一表面上设置有第一导电图案,且在所述第一陶瓷基板内部一体成型有蛇形散热通道,在所述第一陶瓷基板一端部设置有第一注液口,用于向所述第一陶瓷基板的蛇形散热通道内注入散热流体;(2)提供第一半导体元件和第二半导体元件以及散热器,所述第一半导体元件和第二半导体元件分别具有上表面电极和下表面电极,通过双面共压焊同时在第一表面上焊接所述第一半导体元件和第二半导体元件以及在第二表面上焊接所述散热器,且所述第一半导体元件和第二半导体元件的下表面电极分别通过第一焊料层和第三焊料层连接于所述第一导电图案;(3)提供第二陶瓷基板,其具有相对的第三表面和第四表面,在所述第三表面上设置有第二导电图案,在所述第四表面上设置有第三导电图案,所述第二陶瓷基板内部还设有电连接所述第二导电图案和第三导电图案的导电通孔,且在所述第二陶瓷基板内部一体成型有蛇形散热通道,在所述第二陶瓷基板一端部设置有第二注液口,用于向所述第二陶瓷基板的蛇形散热通道内注入散热流体;将所述第二陶瓷基板焊接于所述第一和第二半导体元件上,且所述第一半导体元件和第二半导体元件的上表面电极分别通过第二焊料层和第四焊料层连接于所述第二导电图案;(4)提供第三半导体元件和第四半导体元件,所述第三半导体元件和第四半导体元件分别具有上表面电极和下表面电极,将所述第三和第四半导体元件焊接于所述第二陶瓷基板上,且所述第三半导体元件和第四半导体元件的下表面电极分别通过第五焊料层和第七焊料层连接于所述第三导电图案;(5)提供第一电极板、第二电极板和第三电极板,将所述第三半导体元件和第四半导体元件的上表面电极分别通过第六焊料层和第八焊料层焊接于所述第三电极板,将所述第一电极板焊接于所述第一导电图案,将所述第二电极板焊接于所述第三导电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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