[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810065942.6 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108281440B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 何延强;林宗德;杨龙康;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法。其中一个实施例提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有第一N型区、第二N型区以及夹在第一N型区和第二N型区之间的P型主体区，其中第一N型区、第二N型区和P型主体区分别从半导体衬底的上表面向半导体衬底的内部延伸；以及在半导体衬底的所述上表面上外延形成的外延半导体层，在外延半导体层中形成有第三N型区，其中第三N型区与第一N型区、第二N型区和P型主体区接触。第一N型区、第二N型区和第三N型区一起构成光电二极管的N型区，P型主体区为光电二极管的P型区的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，在半导体衬底中形成有第一N型区、第二N型区以及夹在第一N型区和第二N型区之间的P型主体区，其中第一N型区、第二N型区和P型主体区分别从半导体衬底的上表面向半导体衬底的内部延伸；以及在半导体衬底的所述上表面上外延形成的外延半导体层，在外延半导体层中形成有第三N型区，其中第三N型区与第一N型区、第二N型区和P型主体区接触；其中第一N型区、第二N型区和第三N型区一起构成光电二极管的N型区，P型主体区为光电二极管的P型区的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
