[发明专利]一种贵金属/二氧化硅复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术，在图案化的ITO玻璃衬底上，分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层，再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺，最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度，从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率，使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。

主权项

1.一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于：步骤S1：选取一刻蚀过图案的ITO玻璃作为混合量子点发光二极管器件的衬底以及正极，所述ITO玻璃包括一玻璃衬底以及所述玻璃衬底表面覆盖的ITO图案化薄膜；步骤S2：制备CuInS/ZnS量子点溶液，将得到的CuInS/ZnS半导体量子点作为电致发光中心;步骤S3：制备发光层贵金属/SiO2复合粒子溶液，将得到的贵金属/SiO2复合粒子作为等离子激元增强中心，将贵金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；步骤S4：采用旋涂成膜工艺在ITO玻璃表面旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、发光层贵金属/SiO2与CuInS/ZnS量子点、电子传输层作为各功能层；步骤S5：通过蒸镀工艺蒸镀出Al或Ag电极作为量子点发光二极管器件的负极。步骤S6：通过封装工艺制备出完整的量子点发光二极管器件。