[发明专利]一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法在审

专利信息
申请号: 201710600697.X 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN107474828A 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 李顺兴;朱晓琦;游雅芬;兰珠;许丽;陈德建 申请(专利权)人: 闽南师范大学
主分类号: C09K11/56 分类号: C09K11/56;C09K11/57;C09K11/58;C09K11/88
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司35211 代理人: 翁志霖
地址: 363000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法,包括以下步骤(1)将油溶性硫系半导体量子点稀释于正己烷溶液中,得到的硫系半导体量子点正己烷溶液中硫系半导体量子点的浓度为1‑5×10‑3mmol/L;(2)加入与正己烷溶液等体积的0.5mol/L硝酸溶液,在转速150‑200r/min下缓慢反应0.5‑5h。本发明通过将硫系半导体量子点正己烷溶液与一定浓度的硝酸溶液或过氧化氢溶液混合,形成油水界面层,利用硝酸或者过氧化氢将硫系半导体量子点表面的硫离子氧化为单质硫,单质硫进一步氧化,硫系半导体量子点表面疏水基团被高价态硫酸根离子或亚硫酸根离子替代,使硫系半导体量子点能够溶于水中。本发明方法简单易行、可操作性强、重复性好、成本低,建立了一种通用的油溶性量子点水溶化方法。
搜索关键词: 一种 油溶性硫系 半导体 量子 溶化 方法
【主权项】:
一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法,其特征在于:将油溶性硫系半导体量子点分散于有机溶剂中,得到硫系半导体量子点溶液;然后将所述硫系半导体量子点溶液与一定浓度的氧化剂水溶液混合,形成油水界面层,利用氧化剂水溶液将硫系半导体量子点表面的硫离子原位氧化为高价态硫酸根离子或亚硫酸根,同时表面疏水基团油胺从量子点表面解离,使硫系半导体量子点能够溶于水中。
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