[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810063558.2 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108461594A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;陆骐峰 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括衬底及位于衬底上的外延结构，衬底为蓝宝石衬底，衬底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。本发明的LED芯片使用特制的衬底，配合相应的工艺条件，在不需要另外制备掩膜的基础上，生长出类量子线外延结构，进一步降低态密度，增强量子局限效应，从而提高发光或电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶面 外延结构 量子局限效应 电子器件 工艺条件 蓝宝石 量子线 偏角 掩膜 制备 制造 发光 生长 配合 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底及位于所述衬底上的外延结构，所述衬底为蓝宝石衬底，所述衬底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。
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