[发明专利]具有改善的谐波衰减特性的射频开关设备有效

专利信息
申请号: 201810058135.1 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN109150149B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 赵炳学;金正勋;白铉 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘奕晴;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种射频(RF)开关设备,所述射频开关设备包括:信号输入端子;信号输出端子;第一晶体管,包括连接至信号输入端子的第一输入端子、连接至信号输出端子的第一输出端子、第一栅极端子以及第一体端子,其中,第一输入端子和第一输出端子中的一个是源极端子,第一输入端子和第一输出端子中另一个是漏极端子;第一电容器电路,连接在第一输入端子和第一体端子之间;以及第二电容器电路,连接在第一体端子和第一输出端子之间;其中,第一电容器电路的第一电容大于第二电容器电路的第二电容。
搜索关键词: 具有 改善 谐波 衰减 特性 射频 开关设备
【主权项】:
1.一种射频开关设备,所述射频开关设备包括:信号输入端子;信号输出端子;第一晶体管,包括连接至所述信号输入端子的第一输入端子、连接至所述信号输出端子的第一输出端子、第一栅极端子以及第一体端子,其中,所述第一输入端子和所述第一输出端子中的一个是源极端子,所述第一输入端子和所述第一输出端子中另一个是漏极端子;第一电容器电路,连接在所述第一输入端子和所述第一体端子之间;以及第二电容器电路,连接在所述第一体端子和所述第一输出端子之间;其中,所述第一电容器电路的第一电容大于所述第二电容器电路的第二电容。
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