[发明专利]具有改善的谐波衰减特性的射频开关设备

说明书

提供了一种射频(RF)开关设备，所述射频开关设备包括：信号输入端子；信号输出端子；第一晶体管，包括连接至信号输入端子的第一输入端子、连接至信号输出端子的第一输出端子、第一栅极端子以及第一体端子，其中，第一输入端子和第一输出端子中的一个是源极端子，第一输入端子和第一输出端子中另一个是漏极端子；第一电容器电路，连接在第一输入端子和第一体端子之间；以及第二电容器电路，连接在第一体端子和第一输出端子之间；其中，第一电容器电路的第一电容大于第二电容器电路的第二电容。

本申请要求于2017年6月28日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0081848号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于全部目的通过引用包含于此。

技术领域

以下描述涉及具有改善的谐波衰减特性的射频开关设备。

背景技术

通常，功率放大器模块(PAM)对从发送器输出的射频(RF)信号进行放大，并将放大的RF信号输出至天线。为了支持各种频带，PAM可以包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、频带选择开关、多个滤波器以及天线开关模块(ASM)。

PAM的滤波器可以是表面声波(SAW)滤波器或体声波(BAW)滤波器，并且可以根据正被使用的频带的数量被称作双工器、三工器、四工器或者其他适合的名称。

频带选择开关可以具有根据功率放大器(PA)和滤波器的构造而确定的形式，由于功率放大器通常被设计为在包括多个波段的宽频带中操作，因此频带选择开关可以实现为单刀多掷开关，单刀多掷开关具有单个输入端子以及分别连接至滤波器中的对应的滤波器的多个输出端子。

频带选择开关或天线开关模块具有诸如插入损耗、隔离、功率容量以及二次谐波特性的各种性能指标。在这些性能指标中，二次谐波特性是用于评价频带选择开关或天线开关模块的线性的主要性能指标之一，尤其在滤波器和低噪声放大器(LNA)之间的接收RX路径中是更重要的性能指标。在频带选择开关或天线开关模块中，使用场效应晶体管(FET)的RF开关可以具有多级堆叠结构，其中，多个FET彼此连接以提供期望的功率容量。在多级堆叠结构中堆叠的FET的数量可以根据输入信号的振幅而变化。

然而，应用至现有的开关设备的FET包括四个节点，即，栅极节点、源极节点、漏极节点和体节点，由于操作偏差或金属路由偏差，在FET的漏极-体结电容Cdb和源极-体结电容Csb之间会出现电容的微小的差异，这些电容的差异会影响现有的开关设备的二次谐波特性。

发明名称为“减少的FET的二次谐波的产生”的第9,461,037号美国专利中已经公开了用于校正FET的结电容器之间的电容上的差异的结构。然而，US9,461,037中公开的结构通过将FET形成为对称结构使得在漏极-体结电容Cdb和源极-体结电容Csb中另外产生的寄生电容彼此相等来改善二次谐波特性。

然而，关于US9,461,037中公开的开关的结构，由漏极-体结电容Cdb和源极-体结电容Csb导致的相位差仍然存在。结果，即使在使漏极-体结电容Cdb和源极-体结电容Csb相等的情况下，由于在漏极-体结电容Cdb和源极-体结电容Csb上的电压的大小彼此相等，而通过体和栅极的信号的相位不同，因此二次谐波特性也没有被优化。

发明内容

提供本发明内容从而以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述了所述构思。本发明内容不意图限定所要求保护的主题的关键特征或本质特征，也不意图用作辅助确定所要求保护的主题的范围。