[发明专利]X射线传感器的阵列基板、制造方法及X射线传感器有效
| 申请号： | 201810054898.9 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108269817B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘琨;张文余;李晓东;佟硕 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王卫忠;袁礼君 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及传感器技术领域，提出一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，该制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在第一平坦化层之上形成第二电极层，第二电极层能够遮挡薄膜晶体管器件；在第二电极层之上形成光电二极管器件。使用该制造方法制造的阵列基板像素填充率较高、灵敏度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 传感器 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所述制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；在所述第二电极层之上形成光电二极管器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810054898.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
