[发明专利]X射线传感器的阵列基板、制造方法及X射线传感器

权利要求书

1.一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所述制造方法包括：

在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；

在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件，且所述第二电极层连接于所述薄膜晶体管器件的源漏极；

在所述第二电极层之上形成光电二极管器件，且所述第二电极层与所述光电二极管器件的半导体层连接；

所述光电二极管器件还包括第三电极，所述第三电极在所述衬底基板上的投影与所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影相隔离开；

在形成所述第一平坦化层之后，所述制造方法还包括：

在所述第一平坦化层之上形成第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的X射线传感器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在形成所述第一钝化层时，在所述第一钝化层中形成第一通孔；

在形成所述第一平坦化层时，在所述第一平坦化层中形成第二通孔；

在形成所述第二钝化层时，在所述第二钝化层中形成第三通孔；

其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，使所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。

3.根据权利要求1所述的X射线传感器的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二电极层之上形成光电二极管器件，包括：

在所述第二电极层之上形成半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的投影能够覆盖所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影；

在所述半导体层之上形成透明电极层。

4.一种X射线传感器的阵列基板，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一平坦化层，形成于所述薄膜晶体管器件的第一钝化层之上；

第二电极层，形成于所述第一平坦化层之上，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件，所述光电二极管器件形成于所述第二电极层之上，所述第二电极层连接于所述薄膜晶体管器件的源漏极，且所述第二电极层与所述光电二极管器件的半导体层连接；

所述光电二极管器件还包括第三电极，所述第三电极在所述衬底基板上的投影与所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影相隔离开；

所述阵列基板还包括：

第二钝化层，形成于所述第一平坦化层与所述第二电极层之间。

5.根据权利要求4所述的X射线传感器的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

第一通孔，形成于所述第一钝化层中；

第二通孔，形成于所述第一平坦化层中；

第三通孔，形成于所述第二钝化层；

其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。

6.根据权利要求4所述的X射线传感器的阵列基板，其特征在于，所述光电二极管器件包括：

半导体层，形成于所述第二电极层之上，所述半导体层在衬底基板上的投影能够覆盖所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影；

透明电极层，形成于所述半导体层之上。

7.根据权利要求6所述的X射线传感器的阵列基板，其特征在于，所述光电二极管器件还包括：

第三钝化层，形成于所述透明电极层之上；

第四通孔，形成于所述第三钝化层中；

所述第三电极形成于所述第三钝化层之上，并贯穿所述第四通孔与所述透明电极层连接。

8.一种X射线传感器，其特征在于，包括：

权利要求4～7任意一项所述的X射线传感器的阵列基板。