[发明专利]X射线传感器的阵列基板、制造方法及X射线传感器

说明书

本公开涉及传感器技术领域，提出一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，该制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在第一平坦化层之上形成第二电极层，第二电极层能够遮挡薄膜晶体管器件；在第二电极层之上形成光电二极管器件。使用该制造方法制造的阵列基板像素填充率较高、灵敏度较高。

技术领域

本公开涉及传感器技术领域，具体而言，涉及一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器。

背景技术

X射线传感器的阵列基板在每个像素区通常包括：光电二极管器件和薄膜晶体管器件。其中，光电二极管器件的主要作用是接收光，并通过光伏效应把光信号转换成电信号，而薄膜晶体管器件的主要作用是作为控制开关和传递光伏效应产生的电信号。

参照图1所示的现有技术中X射线传感器的阵列基板的结构图。X射线传感器的阵列基板包括设于衬底基板1上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件。薄膜晶体管器件包括栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、第一电极层5以及第一钝化层6等等；光电二极管器件包括半导体层10、透明电极层11、第三钝化层12、第三电极13、第二平坦化层14以及第四钝化层15等等。薄膜晶体管器件和光电二极管器件是同层设计，那么薄膜晶体管器件上面将不能设置光电二极管器件，光电二极管器件的面积较小；而且光电二极管器件的第三电极13不仅需要连接走线与光电二极管器件，还需要作为遮挡层挡住光线避免光线射入薄膜晶体管器件，因此，需要将第三电极13设计的较宽，较宽的第三电极13会遮挡光线射入光电二极管器件。因此，这种设计的X射线传感器的阵列基板的像素填充率较低，大部分在55％-60％，从而造成X射线传感器的灵敏度较低。

因此，有必要研究一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的像素填充率较低以及灵敏度较低的问题。

根据本公开的一个方面，提供一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，所述制造方法包括：

在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；

在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；

在所述第二电极层之上形成光电二极管器件。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一平坦化层之后，所述制造方法还包括：

在所述第一平坦化层之上形成第二钝化层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：

在形成所述第一钝化层时，在所述第一钝化层中形成第一通孔；

在形成所述第一平坦化层时，在所述第一平坦化层中形成第二通孔；

在形成所述第二钝化层时，在所述第二钝化层中形成第三通孔；

其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，使所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。