[发明专利]一种构建NaInS2基中间带半导体材料的方法在审
| 申请号： | 201810054137.3 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108336168A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 鲁书瀚;陈平;丁成林;沈家兰 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料科学技术领域，尤其涉及到一种以NaInS2半导体为受主，在其带隙中构建中间能带的方法。本发明利用特殊过渡金属元素取代掺杂NaInS2的In位，过渡金属的d电子态与S的3p杂化成键，能够在受主带隙中引入孤立的半满中间带，使电子存在三种跃迁路径VB→IB、IB→CB、VB→CB，从而对可见光吸收增强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 中间带 带隙 构建 受主 过渡金属元素 科学技术领域 可见光吸收 过渡金属 电子态 成键 跃迁 杂化 半导体 掺杂 孤立 引入 | ||
【主权项】：
1.一种构建NaInS2基中间带半导体材料的方法，包括如下步骤：(1)以NaInS2为基础，建立超晶胞结构；(2)利用过渡金属元素取代掺杂NaInS2的In位。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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