[发明专利]Micro-LED器件结构及制作方法有效
申请号: | 201810052340.7 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108281456B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 周雄图;翁雅恋;张永爱;郭太良;严群;叶芸 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20;H01L33/50 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊;丘鸿超 |
地址: | 350108 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及Micro‑LED器件结构及制作方法,其中器件结构包括:多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列;Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面,刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配,刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配;刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部;每个凹部中填充或不填充量子点,构成一个像素点;显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。利用外延层生长的晶格匹配能自动形成Micro‑LED像素,节省传统像素形成方法利用多次光刻和刻蚀的过程,制作工艺简单,成本低。倒锥形像素结构在像素间距一定的情况下,不仅可以增加像素面积,还可以提高观看视角;同时利用倒锥形结构可以增加量子点色彩转换层的厚度,增加光的传输路径和光学转换效率。 | ||
搜索关键词: | micro led 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种Micro‑LED器件结构,其特征在于,包括:多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列;所述Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面,所述刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配,所述刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配;所述刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部;所述每个凹部中填充或不填充量子点,构成一个像素点;所述显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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