[发明专利]Micro-LED器件结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 201810052340.7 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108281456B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 周雄图;翁雅恋;张永爱;郭太良;严群;叶芸 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/20;H01L33/50
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊;丘鸿超
地址: 350108 福建省福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及Micro‑LED器件结构及制作方法,其中器件结构包括:多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列;Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面,刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配,刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配;刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部;每个凹部中填充或不填充量子点,构成一个像素点;显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。利用外延层生长的晶格匹配能自动形成Micro‑LED像素,节省传统像素形成方法利用多次光刻和刻蚀的过程,制作工艺简单,成本低。倒锥形像素结构在像素间距一定的情况下,不仅可以增加像素面积,还可以提高观看视角;同时利用倒锥形结构可以增加量子点色彩转换层的厚度,增加光的传输路径和光学转换效率。
搜索关键词: micro led 器件 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种Micro‑LED器件结构,其特征在于,包括:多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列;所述Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面,所述刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配,所述刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配;所述刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部;所述每个凹部中填充或不填充量子点,构成一个像素点;所述显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810052340.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top