[发明专利]存储器

摘要

本发明提供了一种存储器，字线包括位于所述有源区中的栅极和位于隔离区中的导电层，栅极和导电层相互连接，在对应字线位置且靠近栅极下方的衬底的隔离区中还形成有微沟槽，微沟槽中填充有导电层，从而使填充有导电层的微沟槽和有源区中的衬底在高度方向上至少部分空间重叠。当存储晶体管导通时，在微沟槽与有源区衬底空间重叠的衬底区域中也能够形成一导电区域，导电区域构成了导电沟道的一部分，这相当于增加了导电沟道的宽度，有利于提高存储晶体管的驱动电流和导通电流。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上定义有多个形成有存储晶体管的有源区和位于所述有源区外围的隔离区；字线，包括位于所述有源区中的栅极和位于所述隔离区中的导电层，所述栅极和所述导电层相互连接；以及，微沟槽，位于所述隔离区的对应字线位置中且靠近所述栅极下方的衬底，所述导电层更填充于所述微沟槽中；其中，在所述有源区中位于所述栅极两侧的衬底中还分别形成有一源极掺杂区和一漏极掺杂区，所述微沟槽沿着所述源极掺杂区到所述漏极掺杂区的方向延伸。