[发明专利]一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法在审
| 申请号: | 201810048010.0 | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN110055515A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
| 发明(设计)人: | 赵雷超;史小平;李春雷;秦海丰;纪红;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;尹一凡 |
| 地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法,通过增加1至2个独立设置的真空泵用于分别排出反应前躯体A或/和B,以避免两种前躯体在真空管路中相遇而产生大量颗粒,从而延长了真空泵的使用寿命,降低了设备维护成本;还可通过增加2个独立设置的真空泵用于分别排出反应前躯体A和B,以进一步避免反应源旁路管路通过真空管路与腔室直接连通,从而降低了腔室被污染的概率,维护了腔室的洁净环境。 | ||
| 搜索关键词: | 前躯体 真空泵 腔室 原子层沉积设备 独立设置 气路系统 真空管路 排出 设备维护成本 洁净环境 旁路管路 使用寿命 直接连通 反应源 概率 污染 维护 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积设备的气路系统,其特征在于,包括至少两种反应前驱体传输管路和至少两种反应前驱体旁路,其中:每种所述反应前驱体传输管路均用于向反应腔室通入对应的一种反应前驱体,且每种所述反应前驱体传输管路均与对应的一种所述反应前驱体旁路的进口端连接;至少一种所述反应前驱体旁路的出口端连接有真空泵,且不同所述反应前驱体旁路之间不连通,以避免不同所述反应前驱体相遇而反应。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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