[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 201810046603.3 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109473434B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 嶋田裕介;荒井史隆;加藤竜也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/41;G11C16/04;H10B43/35;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种读出动作时的接通电流大的半导体存储装置及其驱动方法。实施方式的半导体存储装置具备共用通道且相互并联连接的第1及第2NAND串。当从属于所述第1NAND串的第1存储单元中读出值时，对属于所述第1NAND串的第2存储单元的栅极施加第1电位，对属于所述第2NAND串且和所述第1存储单元对向的第3存储单元的栅极施加第2电位，并对和所述第2存储单元对向的第4存储单元的至少一个栅极施加所述第1电位，使所述第1存储单元的栅极电位在所述第2电位和所述第1电位之间摆动。所述第2电位和所述第1配线的电位的电位差的绝对值，小于所述第1电位和所述第1配线的电位的电位差的绝对值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1配线；第2配线；第1NAND串及第2NAND串，共用通道，且在所述第1配线和所述第2配线之间相互并联连接；以及驱动电路；且所述第1及第2NAND串分别具有相互串联连接的多个存储单元晶体管，所述驱动电路在从属于所述第1NAND串的所述多个存储单元晶体管中的第1存储单元晶体管读出值时，对属于所述第1NAND串的所述多个存储单元晶体管中除了所述第1存储单元晶体管以外的第2存储单元晶体管的栅极施加第1电位，对属于所述第2NAND串的所述多个存储单元晶体管中、和所述第1存储单元晶体管对向的第3存储单元晶体管的栅极，施加第2电位，所述第2电位和所述第1配线的电位的电位差的绝对值，小于所述第1电位和所述第1配线的电位的电位差的绝对值，并对属于所述第2NAND串的所述多个存储单元晶体管中、和所述第2存储单元晶体管对向且不和所述第3存储单元晶体管邻接的第4存储单元晶体管的至少一个栅极施加所述第1电位，使所述第1存储单元晶体管的栅极电位在所述第2电位和所述第1电位之间摆动。
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