[发明专利]一种阵列基板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810045488.8 申请日: 2018-01-17
公开(公告)号: CN108198824B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李伟;程磊磊;袁广才 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板的制备方法,该阵列基板的制备方法中,包括:在基板上依次制备栅极层、绝缘层、有源层;在有源层上制备第一金属层;在第一金属层上沉积第二金属层,并形成第二金属层的图形,其中,第二金属层中与沟道对应的部位去除,以露出第一金属层;对第一金属层中与沟道对应的部位进行氧化处理,以形成黑色氧化绝缘层;剥离光刻胶。上述阵列基板的制备方法中,通过在有源层上形成第一金属层和第二金属层,并对第一金属层进行氧化处理,使得第一金属层氧化产生第一金属层的金属氧化物,形成黑色氧化绝缘层,对有源层起到遮光的作用,改善了光照稳定性,提高了显示器件的稳定性。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在基板上制备栅极层;在所述栅极层上制备栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上制备有源层;在所述有源层上制备第一金属层;在所述第一金属层上沉积第二金属层,并通过构图工艺形成第二金属层的图形,其中,所述第二金属层中与沟道对应的部位去除,以露出所述第一金属层中与沟道对应的部位;对所述第一金属层中与沟道对应的部位进行氧化处理,以使所述第一金属层中与沟道对应的部位形成黑色氧化绝缘层;剥离光刻胶。
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