[发明专利]晶体硅太阳电池的漏电处理方法在审
| 申请号： | 201810040765.6 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108198910A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 夏世伟;张为国;张松;韩向超;杨崇文;陈寒 | 申请（专利权）人： | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘雯 |
| 地址： | 201100 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅太阳电池 漏电 物理特征数据 位置处 通电 晶体硅太阳能电池 硅片正表面 负极 绝缘区域 成品率 正负极 隔断 电源 发光 激光 采集 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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