[发明专利]晶体硅太阳电池的漏电处理方法

说明书

本发明涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。

技术领域

本发明涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。

背景技术

晶体硅太阳电池是一种将光能转化为电能的半导体器件。在光的照射下，晶体硅太阳电池内部产生光生载流子，这些光生载流子在PN结内建电场的作用下向电池的正负极迁移，并经电极引出，转化为电能。

在太阳电池制备工艺中，PN结通常是采用高温扩散或离子注入的方法制备。这两种方法都会在靠近边缘的位置产生扩散层，从而导致正负极短路导通，形成漏电。

发明内容

基于此，有必要针对如何避免晶体硅太阳电池漏电的问题，提供一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。

一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，包括如下步骤：

将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；

通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；

根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；

利用激光将所述PN结隔断。

上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，通过将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，从而使得晶体硅太阳电池通电，采集通电后的晶体硅太阳电池的硅片的正表面的边缘的不同位置的物理特征数据，从而根据该不同位置的物理特征数据来确定晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置，再利用激光将PN结隔断，从而去除漏电区域，对该区域进行绝缘，该方法通过采集物理特征数据的方式来确定晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置，还能够大大提高绝缘成品率。

在其中一个实施例中，所述电源的电压为10V-15V。

在其中一个实施例中，所述物理特征数据为所述晶体硅太阳电池的边缘的光强和/或温度。

在其中一个实施例中，采用光敏探头测量光强；采用温度探头测量温度。

在其中一个实施例中，确定所述PN结所在的位置的步骤包括将所述晶体硅太阳电池的硅片的正表面的边缘上的每一点的位置坐标和其所对应的物理特征数据进行拟合，获得拟合曲线；获取所述拟合曲线中的波峰对应的位置坐标，即为所述PN结所在的位置的坐标。

在其中一个实施例中，将所述拟合曲线发送给打标振镜，所述打标振镜根据所述拟合曲线进行激光扫描，并将所述PN结隔断，在所述PN结所在的位置形成凹槽。

在其中一个实施例中，所述激光为波长为700nm-1064nm的红外光或者波长为488nm-532nm的绿色荧光。

在其中一个实施例中，所述激光的模式为脉冲模式或准连续模式；光斑直径为1-500μm。

在其中一个实施例中，所述凹槽的深度为5μm-50μm；所述凹槽的宽度为10μm-200μm。

在其中一个实施例中，所述晶体硅太阳电池为p-n-n型太阳电池或者n-n-p型太阳电池。

附图说明

图1为一实施例的晶体硅太阳电池的漏电处理方法的流程示意图；