[发明专利]晶体硅太阳电池的漏电处理方法在审
| 申请号： | 201810040765.6 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108198910A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 夏世伟;张为国;张松;韩向超;杨崇文;陈寒 | 申请（专利权）人： | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘雯 |
| 地址： | 201100 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体硅太阳电池 漏电 物理特征数据 位置处 通电 晶体硅太阳能电池 硅片正表面 负极 绝缘区域 成品率 正负极 隔断 电源 发光 激光 采集 | ||
1.一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；
通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；
根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；
利用激光将所述PN结隔断。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述电源的电压为10V-15V。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述物理特征数据为所述晶体硅太阳电池的边缘的光强和/或温度。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，采用光敏探头测量光强；采用温度探头测量温度。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，确定所述PN结所在的位置的步骤包括：将所述晶体硅太阳电池的硅片的正表面的边缘上的每一点的位置坐标和其所对应的物理特征数据进行拟合，获得拟合曲线；获取所述拟合曲线中的波峰对应的位置坐标，即为所述PN结所在的位置的坐标。
6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，将所述拟合曲线发送给打标振镜，所述打标振镜根据所述拟合曲线进行激光扫描，并将所述PN结隔断，在所述PN结所在的位置形成凹槽。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述激光为波长为700nm-1064nm的红外光或者波长为488nm-532nm的绿色荧光。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述激光的模式为脉冲模式或准连续模式；光斑直径为1-500μm。
9.根据权利要求6所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述凹槽的深度为5μm-50μm；所述凹槽的宽度为10μm-200μm。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体硅太阳电池的漏电处理方法，其特征在于，所述晶体硅太阳电池为p-n-n型太阳电池或者n-n-p型太阳电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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