[发明专利]一种氧化铪薄膜稳定过渡族氧化物表面导电层的方法在审
| 申请号： | 201810038056.4 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108400083A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曾慧中;周瑶;幸代鹏;何鹏;王放;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/28 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件制造技术领域，提供一种氧化铪薄膜稳定过渡族氧化物表面导电层的方法，用以解决离子轰击过渡族氧化物表面导电层不稳定的技术问题，本发明将所述过渡族氧化物表面导电层上覆盖一层氧化铪薄膜、作为钝化层。氧化铪薄膜作为一种表面钝化材料，相比于其他材料具有宽的带隙(5.7eV)、更高的介电常数(约25)、较高的硬度和高的化学稳定性，有较好的热力学稳定性和良好的晶格匹配特性，对器件的保护性能好，能够大大提高过渡族氧化物表面导电层的稳定性；同时，本发明氧化铪薄膜采用脉冲激光沉积技术制备，制备工艺具有无污染、易控制，能够精确控制化学计量，工艺简单、灵活性大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物表面 氧化铪薄膜 导电层 过渡族 脉冲激光沉积技术 半导体器件制造 晶格匹配特性 热力学稳定性 化学稳定性 保护性能 表面钝化 化学计量 介电常数 离子轰击 其他材料 制备工艺 钝化层 带隙 制备 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铪薄膜稳定过渡族氧化物表面导电层的方法，其特征在于，所述过渡族氧化物表面导电层上覆盖一层氧化铪薄膜、作为钝化层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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