[发明专利]一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法有效
| 申请号： | 201810025969.2 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108376703B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邱晓锋 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明具体涉及一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法。该方法包括：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；对所述Ti金属表面淀积SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 适用于 algan gan 器件 欧姆 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；步骤2：对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；步骤3：对所述Ti金属表面淀积SiO2保护层；步骤4：对所述淀积SiO2保护层后的样品进行包封退火处理；步骤5：去除所述包封退火处理后的SiO2保护层、Ti金属层及包封退火处理过程中形成的TiN；步骤6：对所述步骤5后的样品进行表面处理；步骤7：对所述步骤6后的样品表面依次蒸发或溅射Ti/Al/Ni/Au；步骤8：对所述步骤7后的样品进行退火处理。
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