[发明专利]一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法

权利要求书

1.一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；

步骤2：对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；

步骤3：对所述Ti金属表面淀积SiO₂保护层；

步骤4：对所述淀积SiO₂保护层后的样品进行包封退火处理；

步骤5：去除所述包封退火处理后的SiO₂保护层、Ti金属层及包封退火处理过程中形成的TiN；

步骤6：对所述步骤5后的样品进行表面处理；

步骤7：对所述步骤6后的样品表面依次蒸发或溅射Ti/Al/Ni/Au；

步骤8：对所述步骤7后的样品进行退火处理。

2.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，所述表面处理为依次使用丙酮、乙醇60℃水浴清洗5～15min，去离子水清洗5～15min，氮气吹干。

3.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，步骤2制作的Ti金属层为使用电子束蒸发或溅射制作的Ti金属层，Ti金属层的厚度为

4.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，所述SiO₂保护层为使用PECVD淀积的SiO₂保护层，SiO₂保护层的厚度为

5.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，所述包封退火处理为850℃～950℃快速退火10s～50s，退火过程中充入氮气作为保护气体。

6.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，步骤5采用HF溶液去除SiO₂保护层、Ti金属层及TiN。

7.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，步骤5采用HF溶液和NH₄F溶液去除SiO₂保护层、Ti金属层及TiN，体积比为HF溶液:NH₄F溶液＝1：5，腐蚀10s～300s。

8.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，步骤7使用电子束蒸发或溅射方式制备Ti/Al/Ni/Au金属电极结构。

9.如权利要求8所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，所述Ti/Al/Ni/Au金属电极结构，第一层金属Ti的厚度为第二层金属Al的厚度为第三层Ni的厚度为第四层Au的厚度为

10.如权利要求1所述的适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法，其特征在于，步骤8所述退火处理为400℃～750℃快速退火10s～100s，退火过程中充入氮气作为保护气体。