[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810022624.1 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110021560A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 夏雪;刘轶群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成伪栅极结构、以及位于所述伪栅极结构侧壁的第一侧墙；在基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的侧壁；去除部分伪栅极结构形成第一伪栅极结构，在介质层内形成第一开口，所述第一开口底部表面距离介质层顶部表面的距离为第一距离；形成第一开口后，去除第一开口侧壁暴露出的第一侧墙以形成第一修正侧墙，并且在介质层内形成第二开口，第二开口暴露出第一修正侧墙顶部表面；形成第二开口后，去除第一伪栅极结构，在介质层内形成栅开口；形成栅开口后，在所述栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 伪栅极结构 侧墙 开口 半导体器件 栅开口 基底 去除 顶部表面 侧壁 修正 底部表面 开口侧壁 栅极结构 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在基底上形成伪栅极结构、以及位于所述伪栅极结构侧壁的第一侧墙；在基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的侧壁；去除部分伪栅极结构形成第一伪栅极结构，在介质层内形成第一开口，所述第一开口底部表面距离介质层顶部表面的距离为第一距离；形成第一开口后，去除第一开口侧壁暴露出的第一侧墙以形成第一修正侧墙，并且在介质层内形成第二开口，第二开口暴露出第一修正侧墙顶部表面；形成第二开口后，去除第一伪栅极结构，在介质层内形成栅开口；形成栅开口后，在所述栅开口内形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
